去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程,在电子束曝光,紫外曝光等微纳米加工工艺后,都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题,将直接影响后续工艺的顺利完成。P-MD使用性能出色的组件和软件,可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
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去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程,在电子束曝光,紫外曝光等微纳米加工工艺后,都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题,将直接影响后续工艺的顺利完成。P-MD使用性能出色的组件和软件,可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
P-MD参数(标准配置) |
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外部尺寸 |
641*533*451mm |
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真空腔尺寸 |
直径210mm*230mm |
不锈钢腔体 |
电极尺寸 |
125*125mm 间距20-75mm可调 |
二个多控自适应平板电极 |
等离子体发生器 |
RF射频发生器,频率:13.56MHz |
自适应阻抗匹配电源 |
功率 |
0-200W连续可调 |
精度1W |
工艺气体要求 |
1/4英寸卡套接口/15-30psig |
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工艺气体种类 |
CF4=99.97%; O2=99.996%;N2=99.99% |
AR=99.999% 其它气体咨询 |
气体控制 |
2路针式气体流量阀 |
0-300ml |
控制方式 |
4.3寸触摸屏 |
界面显示实时工作状态 |
保护装置 |
一键急停保护按钮 |
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