单晶微管时碳化硅单晶生长中不可避免出现的缺陷。微管缺陷的存在会大大影响器件的性能。在研究中除了设法降低微管缺陷的数量外，对微管缺陷进行表征也很重要。通过对 SiC化学腐蚀前后的微管缺陷数量进行对比，可以得出一些有益的结论。
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